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品类: Flash芯片描述: NOR 闪存 Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构，提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中，MX29LV 系列提供标准读取访问权限，且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。 ### 闪存，Macronix76865+￥15.602050+￥14.9352200+￥14.5618500+￥14.46851000+￥14.37512500+￥14.26855000+￥14.20187500+￥14.1351 -
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品类: Flash芯片描述: NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 4M-bit 18ns 8Pin SOIC11465+￥2.747325+￥2.543850+￥2.4013100+￥2.3403500+￥2.29962500+￥2.24875000+￥2.228310000+￥2.1978 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST39LF010-45-4C-NHE 闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, LCC, 32 引脚634410+￥7.5348100+￥7.1581500+￥6.90691000+￥6.89432000+￥6.84415000+￥6.78137500+￥6.731110000+￥6.7060 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST26VF032B-104I/MF 闪存, 或非, 32 Mbit, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚33665+￥20.585050+￥19.7053200+￥19.2126500+￥19.08951000+￥18.96632500+￥18.82565000+￥18.73767500+￥18.6496 -
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品类: Flash芯片描述: SST25LF系列 2Mb 256 Kx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-8189110+￥8.5464100+￥8.1191500+￥7.83421000+￥7.82002000+￥7.76305000+￥7.69187500+￥7.634810000+￥7.6063 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST25VF080B-80-4I-S2AE 闪存, 8 Mbit, 1M x 8位, 80 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚874310+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST39SF020A-70-4C-PHE 芯片, 闪存 2MBIT 70NS 32DIP24455+￥30.056150+￥28.7717200+￥28.0524500+￥27.87261000+￥27.69272500+￥27.48725000+￥27.35887500+￥27.2303 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST25VF080B-80-4I-QAE 闪存, 8 Mbit, 1M x 8位, 80 MHz, 串行, SPI, WSON, 8 引脚889110+￥6.0612100+￥5.7581500+￥5.55611000+￥5.54602000+￥5.50565000+￥5.45517500+￥5.414710000+￥5.3945 -
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品类: Flash芯片描述: Flash Parallel 3.3V 4Mbit 512K x 8Bit 32Pin PLCC Tube165910+￥10.6308100+￥10.0993500+￥9.74491000+￥9.72722000+￥9.65635000+￥9.56777500+￥9.496810000+￥9.4614 -
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品类: Flash芯片描述: SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。 ### 特点 4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip41775+￥20.354550+￥19.4846200+￥18.9975500+￥18.87571000+￥18.75402500+￥18.61485000+￥18.52787500+￥18.4408 -
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品类: Flash芯片描述: Flash Serial 2.5V/3V 64Mbit 64M x 1Bit 8ns 8Pin WDFN EP Tube10345+￥31.893050+￥30.5301200+￥29.7668500+￥29.57601000+￥29.38522500+￥29.16715000+￥29.03087500+￥28.8945 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST26WF080B-104I/MF 闪存, CMOS, 8 MB, 104 MHz, SPI, SDI, SQI, WDFN, 8 引脚232810+￥11.9040100+￥11.3088500+￥10.91201000+￥10.89222000+￥10.81285000+￥10.71367500+￥10.634210000+￥10.5946 -
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品类: Flash芯片描述: SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip97355+￥30.201250+￥28.9106200+￥28.1878500+￥28.00711000+￥27.82642500+￥27.61995000+￥27.49087500+￥27.3618 -
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品类: Flash芯片描述: SST26VF系列 16Mb 2 Mx8 3V 串行 四通道 I/O 闪存 存储器-SOIC-8653610+￥9.8544100+￥9.3617500+￥9.03321000+￥9.01682000+￥8.95115000+￥8.86907500+￥8.803310000+￥8.7704 -
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品类: Flash芯片描述: Flash Serial-SPI 1.8V 1Mbit 128K x 8Bit 9ns 8Pin WSON EP Tube90635+￥11.963350+￥11.4520200+￥11.1657500+￥11.09411000+￥11.02262500+￥10.94085000+￥10.88967500+￥10.8385 -
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品类: Flash芯片描述: NOR闪存 2Mbit 33MHz827510+￥9.3396100+￥8.8726500+￥8.56131000+￥8.54572000+￥8.48355000+￥8.40567500+￥8.343410000+￥8.3122 -
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品类: Flash芯片描述: 512K X 8 FLASH 1.8V PROM, PDSO8, 5 X 6MM, ROHS COMPLIANT, WSON-872175+￥19.776550+￥18.9314200+￥18.4581500+￥18.33981000+￥18.22142500+￥18.08625000+￥18.00177500+￥17.9172 -
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品类: Flash芯片描述: SST25VF040B 串行 SPI SuperFlash® 存储器 ### 闪存，Microchip410310+￥9.4272100+￥8.9558500+￥8.64161000+￥8.62592000+￥8.56305000+￥8.48457500+￥8.421610000+￥8.3902 -
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品类: Flash芯片描述: Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 8M x 1Bit 8Pin WSON EP Tube16635+￥13.519450+￥12.9416200+￥12.6181500+￥12.53721000+￥12.45632500+￥12.36395000+￥12.30617500+￥12.2483 -
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品类: Flash芯片描述: SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ (SQI™) SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。 ### 特点 串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip54695+￥17.982950+￥17.2144200+￥16.7840500+￥16.67651000+￥16.56892500+￥16.44595000+￥16.36917500+￥16.2922 -
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品类: Flash芯片描述: SST25LF系列 2Mb 256 Kx8 3V 表面贴装 SPI 串行闪存-SOIC-852085+￥3.885325+￥3.597550+￥3.3960100+￥3.3097500+￥3.25212500+￥3.18025000+￥3.151410000+￥3.1082 -
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品类: Flash芯片描述: SST25PF020B 串行 SPI SuperFlash® 存储器 ### 闪存，Microchip67805+￥1.402725+￥1.298850+￥1.2260100+￥1.1949500+￥1.17412500+￥1.14815000+￥1.137710000+￥1.1221 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST25PF020B-80-4C-SAE 闪存, 2 Mbit, 256K x 8位, 80 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚45205+￥5.572825+￥5.160050+￥4.8710100+￥4.7472500+￥4.66462500+￥4.56145000+￥4.520210000+￥4.4582 -
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品类: Flash芯片描述: SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。 ### 特点 4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip25925+￥17.719750+￥16.9624200+￥16.5383500+￥16.43231000+￥16.32632500+￥16.20525000+￥16.12947500+￥16.0537 -
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品类: Flash芯片描述: MICROCHIP SST25VF040B-50-4I-S2AF 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 50 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚143510+￥10.7700100+￥10.2315500+￥9.87251000+￥9.85462000+￥9.78285000+￥9.69307500+￥9.621210000+￥9.5853 -
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品类: Flash芯片描述: SST25WF040B 串行 SPI SuperFlash® 存储器 ### 闪存，Microchip476910+￥9.4176100+￥8.9467500+￥8.63281000+￥8.61712000+￥8.55435000+￥8.47587500+￥8.413110000+￥8.3817 -
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品类: Flash芯片描述: NOR Flash Serial-SPI 3V 1Gbit 1G x 1Bit 8ns 16Pin SOIC Tube58121+￥70.768710+￥67.6918100+￥67.1380250+￥66.7072500+￥66.03031000+￥65.72262500+￥65.29185000+￥64.9226 -
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品类: Flash芯片描述: NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 256M-bit 256M/128M/64M x 1/2Bit/4Bit 8ns 16Pin SOIC W Tube20561+￥69.607210+￥66.5808100+￥66.0360250+￥65.6124500+￥64.94651000+￥64.64392500+￥64.22025000+￥63.8570 -
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品类: Flash芯片描述: NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 256M-bit 256M x 1 8ns 16Pin SOIC W Tube23665+￥15.032250+￥14.3898200+￥14.0300500+￥13.94011000+￥13.85012500+￥13.74745000+￥13.68317500+￥13.6189 -
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品类: Flash芯片描述: S25FL116K 系列 16 Mb (2M x 8) 3 V 表面贴装 SPI 串行 闪存-NOR 存储器 - SOIC-894305+￥28.067150+￥26.8677200+￥26.1960500+￥26.02811000+￥25.86012500+￥25.66825000+￥25.54837500+￥25.4283
